イミュニティ評価方法

半導体のイミュニティ評価方法はIEC 62132：Integrated Circuit , Measurement of Electromagnetic immunity ならびにIEC 62215：Integrated circuits, Measurement of impulse immunityで規格化されています。システムで問題となるイミュニティによる誤動作に対応するように、IEC 62132は連続波（Continues Wave）を、 IEC 62215では過渡波（Impulse Wave）を印加する試験です。

IEC 62132では５種類の評価方法（Part2（TEMセル法）、Part4（Direct RF Pulse Injection法）、Part5（WorkBench Faraday Cage法）、Part8（IC Stripline法））が標準化され、IEC 62215では２種類の測定方法（Part2（Synchronous transient injection 法）、Part3（Non-synchronous transient injection 法））が標準化されています。ここでは、各測定方法の概要、測定上のポイントなどを紹介します。

Part3 (Bulk Current Injection法)は、半導体レベルでの適用事例がないことより、2020年のIEC会議にて廃版となりました。

評価方法解説

評価方法一覧を下表に示します。
尚、本内容は参考であり、詳細は正式な各Documentを参照ください。

Integrated circuits, Measurement of Electromagnetic Immunity（IEC 62132)

IEC 62132-1(PART1)	General conditions and definitions	-
IEC 62132-2(PART2)	Measurement of radiated immunity	TEM-Cell 法
IEC 62132-3(PART3)　廃版	Measurement of conducted immunity	BCI 法
IEC 62132-4(PART4)		DPI 法
IEC 62132-5(PART5)		WBFC 法
IEC 62132-8(PART8)	Measurement of radiated immunity	IC ストリップライン法

IEC 62132-2～5,8に関し、評価方法の概略と評価上のポイントを示します。

■IEC 62132-2(PART2) Measurement of radiated emissions　TEM-Cell 法

評価方法の解説

小型のTEMセルの側面に評価基板を搭載できるようにし、測定対象のデバイスのみがセルの内側に、その駆動回路、コンデンサは外側になるようにする。50Ωで終端した状態で妨害信号を入力し、その信号に対する耐性を評価する。

■IEC 62132-4(PART4) Measurement of conducted emissions　DPI 法

評価方法の解説

インジェクションポイントに容量カップリングで妨害信号を印加し、ICの誤動作の有無を確認する

■IEC 62132-5(PART5) Measurement of conducted emissions　WBFC 法

評価方法の解説

コモン（評価基板グランド）電位を揺らし、基板に実装されたICの誤動作の有無を確認する。

■IEC 62132-8(PART8) Measurement of conducted emissions　ICストリップライン法

評価方法の解説

ストリップラインと基板GNDとの間にICを配置し、ストリップラインとGND間にノイズを与えることで、ICへの放射イミュニティを測定する手法

Integrated circuits, Measurement of impulse immunity （IEC 62215)

ここではIEC 62215-1はまだ審議されていません。IEC 62215-2,3に関し、評価方法の概略と評価上のポイントを示します。

IEC 62215-1(PART1)	General conditions and definitions 審議前
IEC 62215-2(PART2, TS)	Synchronous transient injection 法
IEC 62215-3(PART3)	Non-synchronous transient injection 法