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第13回LPBフォーラム(Web) 開催のご案内

 2021年3月5日(金)  第13回LPBフォーラム(Web)開催

日時 : 2021年3月5日(金)15:00~17:30
会議方式:ウェビナー Webex eventsを使用
参加費用:無料
参加申し込み:受付を終了しました。多数のお申込みありがとうございました。
締め切り:3月3日(水)
ウェビナー接続先連絡:3月4日(木)

LSI - Package - Board(略してLPB)の協調設計を議論する誰でも参加できるコミュニティーとして開催してきましたLPBフォーラムも13回目を迎えることになりました。 コロナの影響を鑑みて今回もWeb形式にて開催致します。

これまでJEITA半導体&システム設計技術委員会が開発してきましたLPBフォーマットは2016年11月に国際標準IEC 63055/IEEE 2401-2015となり、その後、設計現場への普及により各社で様々な効果が出始め2019年12月にはバージョンアップしIEEE 2401-2019として出版されました。本年度は次期バージョンに向けた開発に着手すると共に、LPB Formatに触れる方を対象として、LPB Formatの概要を理解してもらうことを目的とした「LPB Format入門」をメルマガを通じて配信しております。
本フォーラムでは、招待講演としまして、弘前大学大学院 理工学研究科 金本 俊幾 教授より「パワーモジュールの信頼性向上に向けたデバイスの電気・熱・応力解析」について講演頂きます。また、LPB Formatの最新状況、EDAベンダのLPB Format対応の拡張等について発表します。奮ってご参加ください。

プログラム概要

プログラム(暫定)を更新しました。

(1) 15:00-15:10 開催にあたって 東芝デバイス&ストレージ(株)  福場 義憲 氏
(2) 15:10-15:25 LPBフォーマット国際標準改訂・普及・教育活動について 富士通(株)  大塚 育生 氏
東芝デバイス&ストレージ(株)  青木 孝哲 氏
2020年度の標準化活動のUpdateと次期バージョンに向けたスケジュールをお話しします。
また、来年度の教育活動の予定もお話しします。
(3) 15:25-15:40 CR-8000 Design Force LPBフォーマット対応の拡張 (株)図研 小林 由一 氏
  CR-8000 Design Forceは、2013年よりLPBフォーマットへの対応を開始し、機能拡張を進めてきました。本年の機能拡張についてご説明いたします。
 LPB-Cフォーマットで提供される部品情報を、弊社ライブラリ(CDB)に一括で取り込む機能、および、LPB-Nフォーマットで提供される回路情報を基板に取り込む機能を新たにリリースいたします。
(4) 15:40-16:00 LPBフォーマット交換サイト gem-lpb.com のご紹介 (株)ジェム・デザイン・テクノロジーズ 村田 洋 氏
 LPBフォーマットの文法チェックや内容確認が行えるWebサイト gem-lpb.com を最近オープンいたしました。本講演ではその概要についてご紹介します。受け取ったLPBフォーマットを検査したい、協力会社との連携にLPBフォーマットが使えないか検討してみたい、などご興味をお持ちの方のご参考になれば幸せです。
(5) 16:00-16:15 バウンダリモデルTGからご報告 コニカミノルタ(株)  野村 毅 氏
 IEC 62433/バウンダリモデルTGでは、LSIメーカーとセットメーカーの間でやり取りをするLSIモデルの在り方を検討しています。
 今回は、LSIの直接放射モデルに寄せるセットメーカーの期待、IEC 62433 Part3として定義されている直接放射モデルはその期待に答えられるか?
 各種解析ツールはどのようなアプローチを進めているかについて述べます。
  16:15-16:30 休憩  
(6) 16:30-16:50 IBIS活用TGからご報告 ルネサスエレクトロニクス(株) 坂田 和之 氏
IBIS活用TGでは、DCDCコンバータのIBIS化(for EMI解析)を検討しています。
本報告では、これまでの経緯と、現在行っている以下の検討内容についてご報告します。
これまで、spiceモデルからIBISモデルを作成し、それを用いたEMI解析を実施したところ、実測と大きく異なる結果となりました。
現在、その原因はドライバモデルにあると考え、IBISからSpiceマクロモデルを生成し、測定波形とシミュレーション波形を比較し、その原因検討を行っています。
(7) 16:50-17:30 【招待講演】
パワーモジュールの信頼性向上に向けたデバイスの電気・熱・応力解析
弘前大学大学院理工学研究科 金本 俊幾 教授
自動車のHEV,EV化や予防安全装置の普及に伴い、信頼性や保守性の観点からモータやアクチュエータを駆動するPower MOSFET, IGBTなどを搭載したパワーモジュール内部の電気・熱・応力解析が益々重要になってきています。
例として、パワーデバイスの寿命は、素子内部の故障よりもワイヤボンディングやクリップボンディングの接合部にかかる熱応力による疲労で規定されることがわかっています。
ここでは、熱電気連成解析を用いてスナバ抵抗の耐圧を向上する取り組みや、熱応力解析により予測寿命のばらつきを解析した事例を紹介し、信頼性向上に向けた展望をお話しします。
(8)   閉会の挨拶  

以上

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